Toshiba идет ниже 45нм техпроцесса
Компания Toshiba Corp. сейчас объявила очередной прорыв в визуализации наноэлектронных процессов.
Как говорят исследователи компании, новый способ, основанный на SSRM-микроскопии, разрешает разбирать пути распространения зарядов в наноэлектронике с точностью до 1 нанометра. Это может привести, по словам экспертов компании, к более стремительному переходу на чипы, изготовленные по техпроцессу ниже 45 нанометров.
Как информирует PhysOrg, способ был представлен на Интернациональном Симпозиуме по физике надежности (International Reliability Physics Symposium), что на данный момент проходит в Аризоне, США.
Узнаваемая на сегодня сканирующая микроскопия сопротивления растекания (Scanning spreading resistance microscopy -SSRM) – главная разработка для двумерного картографирования сопротивлений в микро- и наноэлектронных устройствах. Подобная диагностика наносистем нужна для предстоящего перехода на 45 нанометровый техпроцесс.
Рис. 1. Изображение, полученное посредством модернизованного SSRM (Toshiba Corp)
Классический SSRM ограничен по разрешению до 5 нанометров из-за пара, попадающего на пример из внешней среды при изучении, исходя из этого результаты проверки наноэлектронных цепей не разрешают с точностью сказать о наличии примесей в устройствах, изготовленных по техпроцессу ниже 45-нанометрового.
Эксперты из Toshiba Corp. смогли применять вакуумную камеру для оборудования и изоляции образца от окружающего воздуха, и, так, предел разрешения смогли поднять до 1 нанометра. На сегодня это самоё точное разрешение SSRM-техники.
Сейчас компания собирается использовать модернизованный SSRM для контроля производства чипов по 45-нанометровому техпроцессу.
