Теоретики nrel подсказали путь создания электроники на 2d-полупроводниках
Дисульфид молибдена и другие 2D-полупроводники имели возможность бы применяеться в новом поколении электронных устройств, но для этого сперва необходимо отыскать метод преодолеть ограничения, налагаемые высоким барьером Шоттки между металлическими контактами и полупроводником. Он создаёт препятствие для прохождения электронов либо дырок через полупроводник.
Команда Национальной Лаборатории Возобновляемой Энергии (NREL) поняла, что высотой барьера Шоттки возможно руководить впредь до полного его исчезновения, применяя в качестве электродов кое-какие 2D-металлы. С простыми объёмными металлами это нереально из-за сильного результата пиннинга (закрепления) уровней Ферми (FLP) на интерфейсе.
Соединение 2D-металлов с 2D-полупроводниками осуществляется довольно не сильный силами Ван-дер-Ваальса. В этом случае индуцированные металлом электронные состояния в запрещенной территории полупроводника подавляются и эффектом FLP возможно пренебречь. Подобрав подходящую несколько, к примеру, H-NbS2/WSe2 для дырочный проводимости, возможно полностью устранить барьер, увеличив производительность устройства и поток зарядов.
Двумерные металлы кроме этого прозрачны и эластичны, исходя из этого в качестве электродов может применяеться в эластичной и прозрачной электронике. Помимо этого, исследователи отмечают, что поверхность соединения 2D-материалов (полупроводников и металлов) имеет атомарную чистоту, и на ней фактически отсутствуют недостатки, ведущие к рекомбинации рассеяния и уменьшению носителей.
В статье для Science Advances, ученые назвали гексагональную фазу дисульфида ниобия как самый перспективный 2D-металл для ввода дырок в 2D-полупроводник и очень сильно легированный азотом графен — для действенного ввода электронов.
