Создана первая в мире прозрачная микросхема
Несколько южнокорейских ученых заявила о создании первой в мире прозрачной микросхемы памяти. Разработка именуется TRRAM, что расшифровывается как – «прозрачная резистивная память с произвольной выборкой» (Transparent Resistive Random Access Memory).
По словам ведущего разработчика TRRAM доктора Джун Вон Сео станет новым шагом в развитии электроники. С этим тяжело не дать согласие, потому, что TRRAM разрешает создать устройство прозрачное полностью.
По своим чертям новая микросхема похожа на память типа CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), которая сейчас широко применяется, к примеру, в USB-флешках. Но технологически новинка ближе к памяти типа RRAM (Resistive Random Access Memory) – также, кстати, довольно недавней разработке.
Дело в том, что для производства RRAM употребляются металлооксидные материалы с высокой прозрачностью. Для новой микросхемы, корейцам практически было необходимо всего лишь отыскать прозрачные электроды и подложку.
Коэффициент пропускания видимого излучения у новых чипов был равен 0,81. Это прекрасный результат, в случае если учесть, что коэффициент пропускания стандартного двойного стеклопакета со стеклом М1 равен 0,82.
Возможно не сомневаться, что разработка отыщет широкое использование в электронике. По крайней мере, нашумевший в свое время концепт телефона Nokia Morph предполагает применение как раз прозрачных микросхем.
Если доверять корейским ученым, наладить производство TRRAM не сложно и до массового внедрения новой памяти осталось ожидать всего три-четыре года. С учетом того, что в качестве подожки возможно применять фактически каждые прозрачные материалы, цена устройств с TRRAM будет не через чур высокой.
Свидиненко Юрий
Размещено в NanoWeek,
- Прошлая статья: Выход iPhone помог индустрии MEMS-устройств
- Следующая статья: Qimonda трудится над углеродной памятью
