Вышел 1-2 номер журнала «российские нанотехнологии»

Вышел 1-2 номер журнала «российские нанотехнологии»

Из печати вышел первый 1–2 номер издания «Российские нанотехнологии» за 2014 год.

В номере напечатана работа О.А. Агеева и др., где представлены результаты разработки математической модели расчета двумерного рельефа поверхности подложки при травлении фокусированным ионным пучком.

Совершён вычислительный опыт по расчету двумерного рельефа подложки при действии фокусированного ионного пучка. Созданы метод расчета рельефа поверхности при травлении с учетом результата переосаждения распыленного материала и ПО, разрешающее прогнозировать параметры рельефа поверхности подложки в зависимости от параметров ионного пучка и сканирующей совокупности. Адекватность созданной модели подтверждена сравнением с результатами экспериментальных изучений.

создания переключения и Процессы поляризации поляризованного состояния в узких сегнетоэлектрических пленках толщиной меньше 100 нм так же, как и прежде остаются малоисследованными. В статье В.М.

Мухортова и др. изучено переключение поляризации сегнетоэлектрических узких пленок Ba0.8Sr0.2TiO3 толщиной 2–150 нм, осажденных на Si(111) с Pt подслоем. Критическим параметром при переключении поляризации есть площадь сегнетоэлектрического кристаллита. Пленки толщиной 2 нм владеют сегнетоэлектрическими особенностями.

В работе Г.Л. Пахомова и др. взяты прототипы органических фотовольтаических ячеек на базе планарного гетероперехода «субфталоцианин/фуллерен» на эластичных полимерных подложках.

Измерены вольт-амперные характеристики в темноте и при освещении, вычислены главные параметры фотопреобразования. Продемонстрировано, что введение верхнего (подкатодного) ультратонкого барьерного слоя, образованного молекулами Alq3, разрешает существенно уменьшить паразитные сопротивления в ячейке, что ведет к росту коэффициента заполнения до 55%. При осаждении буферного слоя InClPc на поверхность анода (ITO) э.д.с. холостого хода ячеек возрастает с 0.47 до 0.83 В. Громаднейшая эффективность фотопреобразования достигнута в ячейках с двумя интерфейсными слоями (~1%).

РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ


Похожие статьи, подобранные для Вас:

Читайте также: