Усовершенствованная технология выращивания полупроводниковых нанопроволок
Исследователи из университета Пердью, Исследовательского центра им. Томаса Уотсона компании IBM и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (все — США) нашли метод создания резких гетеропереходов в многокомпонентных нанопроволоках.
Гетеропереходом именуют контакт двух полупроводников разного состава. В случае если таковой переход получается плавным, структуру запрещено будет применять при создании транзисторов, потому, что она не дает возможности совершенно верно осуществлять контроль поток носителей заряда и «выключать» его.
Выращивание нанопроволок проводилось в сверхвысоковакуумной камере просвечивающего электронного микроскопа. Сперва исследователи нагревали микроскопические частицы сплава алюминия с золотом до температуры, превышающей 500 ?C; после этого в камеру подавался газ дисилан (Si2Н6).
Капли сплава поглощали кремний, происходило перенасыщение, по окончании чего начиналось формирование кремниевой нанопроволоки. На финише каждой нанопроволоки был расплав золота и алюминия, что придавало структуре форму гриба.
Вид растущей нанопроволоки (иллюстрация Purdue University, Birck Nanotechnology Center / Seyet LLC)
В определенный момент температура в камере понижалась, и капли расплава затвердевали. Затем ученые заменяли подаваемый газ на дигерман (Ge2Н6) и возобновляли рост нанопроволоки. При повторении всего цикла возможно, разумеется, взять и более сложную гетероструктуру.
Авторам кроме этого удалось создать квантовые точки — слои германия толщиной в пара десятков атомов, заключенные в кремнии.
Размещено в NanoWeek,
- Прошлая статья: Графеноподобный пористый полимер
- Следующая статья: Космическая рябь пытается объединить две физики
