Учёные из мфти создали материал для революционной энергонезависимой памяти
Учёные из Столичного физтех университета сумели создать сегнетоэлектрические плёнки из оксида гафния, каковые отличаются сверхмалой толщиной — всего 2,5 нанометра. Как сказала пресс-служба МФТИ, новый материал может начать существование энергонезависимой памяти нового типа.
Более того, скорость её работы не уступала бы современным чипам оперативной памяти при емкости, равной таковым у твёрдых дисков. В базе памяти нового типа будут лежать сегнетоэлектрические туннельные переходы, каковые рассматриваются многими учеными мира, как самый перспективный технологический процесс.
Смотрите кроме этого: Учёные создали RDFID-чип, что нереально взломать
Исследователи Массачусетского технологического университета создали чипы для радиочастотной идентификации (RDFID), каковые, как они уверяют, фактически нереально взломать. Аспирант в области электротехники Чирааг Джувекар, что руководил разработкой, объявил, что новый чип устойчив к так называемым атакам побочного канала, каковые разбирают закономерности доступа к памяти либо колебания энергопотребления в момент, в то время, когда устройство делает криптографическую операцию, дабы извлечь его криптографический ключ.
Принцип работы таких сегнетоэлектрических переходов достаточно сложен. Полученное вещество не проводит электрический ток, но, благодаря законам квантового мира, может создавать отпечаток направления внешнего электрического поля.
Это меняет чтения информации и сам принцип записи, но разрешает достигнуть невиданной ранее плотности записи, и скорости работы с информацией. Еще одним достижением новой разработки стало то, что она совместима и может трудиться вместе с кремниевыми чипами. Ранее таковой альянс был неосуществим, а отказ от кремниевой разработки производства на данный момент кроме того не рассматривается производителями, потому, что фактически вся электронно-цифровая индустрия базируется именно на ней.
В действительности, изыскания в данной области не новы, но сейчас удалось создать вправду трудящуюся модель с функционирующими проводящими туннелями на кремниевой подложке. К сожалению, кроме того примерная дата появления первых коммерческих типов энергонезависимой памяти не раскрывается.
Источник: 4pda.ru
