Травление упростило создание «высоких» транзисторов
FinFET — разработка производства транзисторов методом бомбардировки полупроводниковой пластины высокоэнергетическими ионами. Результатом FinFET есть трехмерное устройство с заключенными в вертикальную оболочку полупроводниками — так называемыми «плавниками». Методика есть альтернативой вырезанию матриц из утолщенных пластин и послойной укладке полупроводников и возможно разрешает повысить производительность вычислительных автомобилей.
Использование FinFET ограничено несовершенством создаваемых на чипе «плавников». Довольно матрицы они находятся под углом, меньшим, чем нужные для надежной работы 90 °, помимо этого, обработка ионами деформирует поверхность полупроводника, в следствии на ней появляются неровности, а риск утечки тока возрастает.
В новой работе ученые применяли личный метод производства полевых транзисторов — металл-ассистированное химическое травление (MacEtch). Эта методика была создана авторами ранее для работы с кремнием.
MacEtch представляет собой мокрое травление полупроводника в химическом растворе, разъедающем наложенный железный шаблон (в этом случае из фосфида индия с золотом) во всех направлениях и в основном — сверху вниз. Направленность снабжает формирование ровных и ровных «плавников» с углом, родным к прямому.
«Проводимость одного высокого “плавника” аналогична показателю нескольких маленьких. Благодаря усовершенствованию транзистора мы сэкономим и пространство», — сказал Сон и соавтор исследования.
На данный момент инженеры трудятся над адаптацией разработки к кремниевой матрице. Не обращая внимания на то, что будущее — за составными полупроводниками, кремний остается отраслевым стандартом, исходя из этого принципиально важно, дабы MacEtch выяснилось совместимо с существующими производственными процессами, отметила начальник работы Сюлин Ли.
