Toshiba готовит революционную память
Корпорация Toshiba заявила об успешной разработке новой туннельной разработке, которая в будущем разрешит создавать флэш-память гораздо большей емкости, на базе нового, 10-нанометрового технологического процесса. Разработка была объявлена день назад, 12 декабря, на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) в Вашингтоне, США.
Разработка Toshiba представляет собой туннельный слой,под контролем которого находиться перемещение электронов в SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), структуре памяти, где электроны удерживаются в нитридном слое изолирующего затвора. Новая структура представляет собой кремниевый кристалл толщиной 1,2 нм, расположенный между 1-нанометровыми оксидными пленками.
Функционирование осуществляется при помощи трансформации величины напряжения на затворе. Таковой тип памяти способен хранить данные весьма продолжительное время и снабжает высокую скорость одновременного удаления и записи битов.
Новая разработка разрешит хранить в одном слое до 100 Гбит (12,5 ГБ) данных. Для сравнения, современная одноуровневая NAND-память, применяемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т.д., способна хранить только 16 Гбит.
В большинстве случаев для повышения емкости производители применяют дополнительные уровни (слои). Иными словами, разработка Toshiba разрешит изготавливать более мелкие чипы памяти, или чипы, каковые будут вмещать в 6,25 раза больше информации.
Современная одноуровневая NAND-память, применяемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т.д., способна хранить только 16 Гбит
Кроме уменьшения размеров, японские инженеры заменили материал нитридного слоя с Si3N4 на Si9N10, что разрешило значительно увеличить концентрацию электронов и улучшить работоспособность памяти. Как утверждается, чипы с применением нового материала смогут трудиться без сбоев более 10 лет.
Напоследок необходимо подчеркнуть второй серьёзный прорыв, идеальный сравнительно не так давно корейской Samsung. В октябре компания заявила о четырехкратном повышении емкости современных NAND-чипов.
Представленная Samsung разработка хранит биты данных в многоуровневых ячейках и задействует 30-нм техпроцесс. Так, прорыв Toshiba ? применяющий техпроцесс в три раза меньше ? открывает более увлекательные возможности.
