Samsung начинает серийное производство модулей 32-слойной флэш-памяти 3d v-nand второго поколения
Компания Samsung Electronics сказала о начале серийного производства первой в отрасли трехмерной (3D) флэш-памяти V-NAND, которая включает 32 слоя ячеек по вертикали (это второе поколение флэш-памяти V-NAND).
32-слойная память 3D V-NAND компании Samsung (кроме этого именуется Vertical NAND) требует более большого уровня разработок проектирования, дабы разместить одну над второй матрицы элементов, если сравнивать с ранее выпущенными 24-слойными модулями V-NAND, но наряду с этим она снабжает намного более высокую производительность, поскольку компания Samsung, в принципе, может применять то же самое оборудование, которое употреблялось для производства первого поколения памяти V-NAND.
Помимо этого, компания Samsung сравнительно не так давно запустила линейку твердотельных дисков премиум-уровня, произведенных с применением флэш-памяти V-NAND 2-го поколения. Эти диски имеют емкость 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТераБайт. По окончании выпуска твердотельных дисков на базе 3D V-NAND, предназначенных для центров обработки данных, в прошедшем сезоне на данный момент компания Samsung расширяет собственную линейку твердотельных дисков V-NAND и сейчас предлагает продукты для ПК премиум-уровня, что разрешит компании расширить собственную рыночную базу.
«Мы сделали память 3D V-NAND более дешёвой, представив широкую линейку твердотельных дисков на базе V-NAND, каковые также будут употребляться в ПК, кроме центров обработки данных, – говорит Юнг Хьюн Джун, аккуратный вице-президент, подразделение маркетинга и продаж ответов памяти, Samsung Electronics. – Мы неизменно готовы снабжать постоянные и своевременные поставки высокопроизводительных твердотельных дисков V-NAND высокой плотности, и базисные чипы V-NAND для ИТ-клиентов в мире, что будет содействовать стремительному распространению на рынке разработки 3D NAND».
Новые твердотельные диски на базе 3D V-NAND имеют примерно в два раза больший ресурс при записи данных и потребляют на 20% меньше электричества если сравнивать с планарными (2D) дисками на базе памяти MLC NAND.
Позднее в текущем году компания Samsung представит дополнительные твердотельные диски премиум-уровня на базе второго поколения памяти 3D V-NAND, каковые будут иметь еще более плотность записи и высокую надёжность данных.
