Разработана память в 1000 раз быстрее флэш
Новый вид памяти основан на фазовом состоянии вещества и есть разновидностью так называемой «фазовой памяти». По словам разработчиков, в базе созданной ими разработки лежат самостоятельно формирующиеся нанопроволоки из теллурида сурьмы и германия – соединений, талантливых поменять собственный фазовое состояние под действием электрического тока.
Такие вещества смогут иметь кристаллическую структуру, или быть в неупорядоченном аморфном состоянии, имея наряду с этим различное электрическое сопротивление. Толщина нанопроволок памяти, согласно данным ученых, образовывает 30-50 атомов в диаметре, протяженность – 10 мкм, информирует TG Daily.
В следствии первых опытов с примером памяти удалось установить, что она способна записывать, просматривать и удалять биты данных со скоростью в 1000 раз выше средней скорости работы современных устройств на базе флэш-памяти. Наряду с этим, как отмечают ученые, их память потребляет весьма мелкое количество электроэнергии, всего 0,7 мВт на операцию с одним битом. Эти на таком носителе смогут надежно храниться в течение 100 семь дней. лет.
Как поведал TG Daily начальник команды разработчиков Ритеш Эгарвал (Ritesh Agarwal), доцент кафедры изучения материалов, теоретически на базе данной разработке возможно создавать терабитные модули памяти маленьких размеров. По его убеждению, подобная память по части плотности записи может составить борьбу флэш-памяти.
Он сказал, что выход аналогичной памяти на массовый рынок ожидается никак не раньше, чем через восемь, либо кроме того десять лет. Напомним, что ранее аналитики предвещали появление первых продуктов на базе фазовой памяти уже в 2007-2008 гг.
Мировые разработчики кремниевых микросхем в далеком прошлом ведут активные поиски новых разработок, каковые разрешат сократить цена производства, будут потреблять меньше энергии и, одновременно с этим, трудиться стремительнее сегодняшней флэш-памяти. В 2005 г. о разработке памяти, основанной на фазовых переходах, информировали эксперты исследовательских лабораторий Philips.
В конце 2006 г. подобная память была создана группой компаний, в число которых входила IBM, но скорость работы их памяти была ниже. Компания Intel кроме этого ведет разработки в данной области, в апреле этого года ею был показан личный чип фазовой памяти.
| Учебный центр CNews, курс: «Стартап-менеджмент – новый подход к ответу непростых задач в условиях твёрдой борьбе» 24.09 — 25.09 |
