Прорыв: разработана крошечная флэшка на 128 гб
Совместное предприятие Intel и Micron Technology — IM Flash Technologies (IMFT) — заявило о создании первого в индустрии кристалла NAND-памяти емкостью 16 ГБ. Новый кристалл, создаваемый на базе 20-нм технологической нормы, предлагает в два раза более высокую плотность записи информации если сравнивать с продуктами текущего поколения, сообщено в официальном сообщении.
По словам представителей компании, методом объединения 8 кристаллов возможно создать чип емкостью 128 ГБ. Наряду с этим микросхема будет размером с ноготь.
Чтобы совершить очередной ход на пути развития индустрии флэш-памяти инженерам было нужно создать новую разработку масштабирования ячеек — с применением инновационной планарной структуры. Помимо этого, высокая плотность ячеек предъявляет повышенные требования к токам утечки. Снизить их удалось за счет применения транзисторов с диэлектриками с высокой металлическими затворами и диэлектрической проницаемостью (разработка Hi-K Metal Gate).
В следствии были достигнуты быстродействие и надёжность, свойственные продуктам текущего поколения. Как отмечается, новый модуль удовлетворяет спецификации ONFI 3.0 и может достигать скорости в 333 мегатрансфер в секунду (миллион операций ввода/вывода в секунду).
Ожидается, что новая разработка отыщет использование в потребительских гаджетах (планшетах и смартфонах) и промышленных совокупностях хранения данных. Приступить к поставкам тестовых образов 16-ГБ кристаллов NAND-памяти планируется в январе, а к серийному производству — до конца первой половины будущего года.
Объединение 8 кристаллов разрешает создать 16-ГБ микрочип размером с ноготь
Причем IMFT вначале полностью собирается освоить производство 8-ГБ кристаллов, кроме этого делаемых с применением 20-нм технологии. К серийному производству таких элементов компания приступила в декабре. В компании рассчитывают, что количества производства, на каковые они выйдут в текущем месяце, разрешат достаточно скоро совершить переход к серийному выпуску 16-ГБ модулей.
Совместное предприятие IMFT было создано в январе 2006 г. и располагает двумя фабриками — в Соединенных Штатах и Сингапуре. Компания есть фаворитом на рынке флэш-памяти в нюансе применяемых технологических норм.
