Корпорация «интел» завершила разработку 32-нанометровой технологии производства микрочипов
Корпорация Интел (Intel Сorporation) заявила о завершении разработки нового технологического процесса производства микросхем с нормами 32 нанометра.
32-нанометровый техпроцесс подразумевает использование 193-нм методики и иммерсионной литографии HKMG (high-k + metal gate) второго поколения, основанной на применении диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с железными затворами (metal gate). Интел собирается обнародовать подробную данные о 32-нанометровом других разработках и технологическом процессе на конференции International Electron Devices Meeting (IEDM), которая пройдет через несколько дней в Сан-Франциско (США).
Предполагается, что серийное производство продукции по разработке с нормами 32 нанометра начнется в течение последних трех месяцев следующего года. В частности, данный техпроцесс будет использоваться при выпуске аппаратной платформы для нетбуков нового поколения, известной под кодовым заглавием Medfield. Портативные устройства, выстроенные на данной платформе, как ожидается, покажутся на рынке в 2010 году.
Cреди вторых докладов, каковые Интел собирается представить на конференции – сообщения о маломощном чипе для 45-нанометровой технологии; о транзисторах на базе композиционных полупроводников; о новой разработке подложки для увеличения производительности 45-нм транзисторов; об интегрированном химико-механическом ходе полировки для 45-нм и последующих размерных последовательностей разработки; об интегрированной матрице фотонных модуляторов на кремнии. Интел кроме этого собирается участвовать в дискуссии по 22-нм технологии КМОП (CMOS Technology).
Евгений Биргер
Размещено в NanoWeek,
- Прошлая статья: При Университете штата Делавер создан центр изучения топливных элементов
- Следующая статья: Обоснованы неповторимые особенности магнитных полупроводников
