Коротко о новом: samsung запускает производство 3-битной mlc nand памяти емкостью 128 гбит на основе 10-нм техпроцесса

Коротко о новом: samsung запускает производство 3-битной mlc nand памяти емкостью 128 гбит на основе 10-нм техпроцесса

Samsung Electronics заявила о начале массового производства 3-битных MLC NAND чипов памяти емкостью 128 Гбит с применением 10-нанометрового технологического процесса уже в апреле. Высокоразвитый чип разрешит действенно внедрять память высокой плотности в такие решения, как встраиваемые NAND-хранилища и твердотельные SSD-накопители. Новая NAND флэш память на 128 ГБ может похвалиться большим уровнем производительности — скорость передачи данных образовывает 400 МБ/с, и помощью интерфейса Toggle DDR 2.0.
Смотрите кроме этого: Micron создала самый мелкий в мире микрочип NAND-памяти на 128 Гбит

Изделие произведено по разработке Triple-Level-Cell, которая предусматривает хранение трёх бит информации в каждой ячейке. Пробные поставки микрочипов уже начались; массовое производство намечено на второй квартал. Компания Micron Technology показала последние успехи в разработке микрочипов флеш-памяти NAND.Производство микрочипов Micron (изображение компании).

Благодаря новой разработке Samsung собирается расширять поставки фирменных карт памяти на 128 ГБ. Кроме этого, компания собирается наращивать производство твердотельных накопителей количеством более 500 ГБ, что должно ускорить процесс широкого внедрения твердотельных накопителей в компьютерные совокупности, и разрешит Samsung подняться во главе процесса перехода с твёрдых дисков на твердотельные на рынке ноутбуков.

Спрос на высокопроизводительную 3-бит MLC NAND флэш-память емкостью 128 ГБ, равно как и на SSD-накопители количеством более 250 ГБ неизменно растет. В частности, весьма востребованной за последние полгода стала серия Samsung SSD 840.

Samsung начала производство MLC NAND флэш-памяти на 64 Гбит 10-нм класса в ноябре прошлого года. Всего лишь пять месяцев спустя компания предлагает готовые чипы на 128 Гбит, каковые еще больше расширяют ее линейку памяти высокой плотности. Новинка увеличит производительность более, чем вдвое если сравнивать с 20-нм MLC NAND чипами на 64 Гбит, представленными еще в 2010 году.

Чьим нанометрам можно верить, почему задержалась Vega и зачем майнерам особые видеокарты?


Читайте также: