Коротко о новом: samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти ddr3 плотностью 4 гбит
Хороший сутки, Хабр! День назад Samsung заявила о старте массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Выпуск данной DRAM-памяти, любая ячейка которой складывается из связанных конденсатора и транзистора, куда сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, исходя из этого традиционно количества DRAM-чипов заметно уступают количествам чипов флэш-памяти.
Смотрите кроме этого: Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 количеством 4 Гбит
Компания Samsung заявила о старте массового производства новейших 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу. Выпуск DRAM-памяти, любая ячейка которой складывается из связанных конденсатора и транзистора, куда сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, исходя из этого традиционно количества DRAM-чипов заметно уступают количествам чипов флеш-памяти. Дабы совладать с данной задачей, Samsung применяет последние достижения науки и техники двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения.
Дабы совладать с данной сложной задачей, эксперты Samsung объединили модифицированную разработку экспонирования с двойным шаблоном и разработку атомно-слоевого осаждения. Это не только разрешило компании производить чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, применяя существующую иммерсионную ArF-литографию (литографию с применением эксимерных лазеров на фториде аргона, трудящихся в диапазоне твёрдого ультрафиолета), но и сделает вероятным производство нового поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в скором времени.
Помимо этого, Samsung добилась беспрецедентной однородности нанесения сверхтонких диэлектрических слоев конденсаторов, что дополнительно улучшило эффективность памяти. В один момент компании удалось повысить эффективность производства: для новых чипов она на 30% выше, чем для DDR3 по 25-нм техпроцессу, и в два раза больше если сравнивать с DDR3 по 30-нм техпроцессу.
Показатели энергоэффективности чипов на 25% опережают характеристики мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу. Это достижение станет базой для разработки новейших «зеленых» IT-ответов для мировых компаний. В соответствии с изучениям компании Gartner, всемирный рынок мобильной памяти увеличится с 35,6 млрд. долларов в 2013 году до 37,9 млрд. долларов в 2014 году.
