Ibm разрабатывает новый метод хранения данных

Ibm разрабатывает новый метод хранения данных

На этой неделе исследовательский отдел компании IBM представил новую оптическую разработку хранения данных Phase-Change Memory (PCM), которая может прийти на смену классической оперативной и флэш-памяти в будущих смартфонах. Сущность разработке содержится в применении электрического тока для чтения и записи данных из аморфного стекла. По сей день этот способ был через чур дорогим для массового применения в смартфонах и других мобильных устройствах, но исследователям IBM удалось усовершенствовать эту разработку и значительно снизить затраты.

Смотрите кроме этого: Учёные создали неповторимую разработку записи данных

Учёные Саутгемптонского университета в Англии создали новый способ долговечного хранения данных. Посредством фемтосекундных лазерных импульсов им удалось записать данные в 3D-структуру кварца на наноуровне.

Исследователи уверяют, что сохранённые таким способом эти смогут храниться до 13,8 миллиарда лет при температуре до 350 градусов по Фаренгейту. Они уже записали на миниатюрные диски Общую декларацию прав человека, оптические испытания Ньютона, Библию короля и Великую хартию вольностей Якова.

Разработка Phase-Change Memory употреблялась в других компонентах и оптических дисках в течение 15 лет. Эксперты IBM не только смогли удешевить её, но и создали способ сохранения 3-битных данных в одну ячейку кроме того при более больших температурах внешней среды.

В отличие от классической оперативной памяти, PCM не теряет эти при отключении питания. Применение PCM и флэш-памяти разрешает мгновенно создавать кэш. В IBM уверяют, что в случае если записать ОС смартфона на PCM, то устройство будет загружаться в считанные секунды.

Материалы PCM владеют двумя устойчивыми состояниями: аморфным (без чётко определенной структуры) и кристаллическим (структурным) с низкой и высокой электропроводностью соответственно. Дабы сохранить 0 либо 1, известные как биты, на ячейку PCM подаётся электрический ток  большого либо среднего напряжения. Значение 0 возможно запрограммировано для записи в аморфной фазе, а 1 — в кристаллической, либо напротив, — растолковали в IBM.

К сожалению, о сроках появления данной технологии в коммерческих устройствах до тех пор пока ничего неизвестно.

Источник: phonearena.com

Корпоративная система хранения данных Lenovo Storage V3700 V2


Похожие статьи, подобранные для Вас:

Читайте также: