Ibm: 11 нм не предел для кремниевых чипов
Компания IBM совершила две серии презентаций, в которых были затронуты неприятности разработок производства полупроводниковых устройств.
В лекциях называющиеся “Scaling Challenges: Device Architectures, New Materials, and Process Technologies” главное внимание представители IBM уделили микротехнологиям. В других называющиеся “Low Power/Low Energy Circuits: From Device to System Aspects” были рассмотрены вопросы понижения потребляемой мощности устройств.
В собственном выступлении представитель IBM Research Division подчернул, что к производству кремниевых чипов возможно применить проектные нормы 15 нм, 11 нм, а также ещё более прецизионные техпроцессы. Но для этого требуется значительно изменить существующие архитектуру полупроводниковых устройств, и применять так именуемые всецело обеднённые транзисторы. Для “сверхтонких” техпроцессов возможно использовать FinFET-транзисторы, ETSOI (extremely thin SOI) и нанонити.
Как отмечается, при переходе на 15– и 11-нм техпроцессы повысить производительность микросхем посредством микротехнологий уже не удастся на столько, сколько это разрешают чипы 32– и 22-нм поколений. В чипах “10-нм класса” понижения удельной потребляемой мощности в расчете на производительность IBM собирается добиться за счет масштабирования длины затвора, напряжения канала питания и ширины транзистора.
Согласно расчетам IBM, в ближайшее десятилетие мы станем свидетелями грандиозного повышения количества элементов в полупроводниковых микросхемах – от 50 до 100 и более миллиардов.
Размещено в NanoWeek,
- Прошлая статья: В первый раз создана транзисторная микросхема из нанотрубок
- Следующая статья: Рекордная энергия столкновений протонов достигнута на коллайдере
