Elpida memory создает прототип резистивной памяти с произвольным доступом
Японская компания Elpida Memory, являющаяся третьим по значимости игроком в мире памяти типа DRAM (Dynamic Random Access Memory), официально сказала о разработке собственного первого прототипа энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Этот продукт, как заявлено, изготовлен в соответствии с 50-нанометровым технологическим нормам и владеет емкостью 64 Мбит, что есть одним из лучших вероятных показателей для памяти стандарта ReRAM.
Сообщается, что в разработке указанного прототипа кроме экспертов Elpida Memory учавствовала японская национальная организация по формированию энергетических и промышленных разработок (New Energy and Industrial Technology Development Organization, NEDO). Наряду с этим предстоящие работы в этом направлении будут проводиться совместно с Sharp Corporation, Национальным университетом прогрессивной промышленной технологии и науки (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST) и Токийским университетом.
Добавим, что ReRAM (Resistance Random Access Memory) есть одной из самые перспективных технологических разработок в области памяти, сочетающей высокую скорость работы DRAM и возможность сохранять эти без подвода питания, свойственную NAND. Наряду с этим ReRAM выдерживает более чем одного миллиона циклов перезаписи, что более чем на порядок превышает показатель той же NAND памяти. Производитель рассчитывает начать массовый выпуск чипов ReRAM с емкостью гигабитного класса в 2013 году, применяя нормы 30-нанометровой технологии.
Источник: elpida
